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参数资料
| 型号： | IRFR5305TRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 31A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U5305
2500
V GS
=
0V , f = 1 M H z
20
I D = -1 6A
2000
C iss
C iss
C rs s
C o ss
=
=
=
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C g d
16
V D S = -4 4V
V D S = -2 8V
1500
1000
500
C oss
C rss
12
8
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
S E E FIG U R E 1 3
40 50
60
A
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
1000
100
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
100μ s
T J = 17 5 °C
10
T J = 25 °C
1m s
V G S = 0V
10
0.4
0.8
1.2
1.6
A
2.0
1
1
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
S ing le P u lse
10
10m s
100
A
4
-V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR5505GTRPBF | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK |
| IRFR5505TRR | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR5305TRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 31A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
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| IRFR540ZTRLPBF | 功能描述:MOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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