参数资料
型号: IRFR5305TRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
标准包装: 3,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 31A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25V
功率 - 最大: 110W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
IRFR/U5305
D-Pak (TO-252AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2 .3 8 (.0 9 4 )
5 .4 6 (.2 1 5 )
5 .2 1 (.2 0 5 )
6 .7 3 (.2 6 5 )
6 .3 5 (.2 5 0 )
-A -
1 .2 7 (.0 5 0 )
0 .8 8 (.0 3 5 )
2 .1 9 (.0 8 6 )
1 .1 4 (.0 4 5 )
0 .8 9 (.0 3 5 )
0 .5 8 (.0 2 3 )
0 .4 6 (.0 1 8 )
4
6 .4 5 (.2 4 5 )
5 .6 8 (.2 2 4 )
6 .2 2 (.2 4 5 )
5 .9 7 (.2 3 5 )
1 0 .4 2 (.4 1 0 )
1.0 2 (.0 4 0 )
1.6 4 (.0 2 5 )
1
2
3
9 .4 0 (.3 7 0 )
L E A D A S S IG N M E N T S
1 - GATE
0 .5 1 (.0 2 0 )
2 - D R A IN
1 .5 2 (.0 6 0 )
-B -
M IN .
3 - S OU R CE
4 - D R A IN
1 .1 5 (.0 4 5 )
3X
0 .8 9 (.0 3 5 )
0 .6 4 (.0 2 5 )
0 .5 8 (.0 2 3 )
2X
1 .1 4 (.0 4 5 )
0 .7 6 (.0 3 0 )
0 .2 5 ( .0 1 0 )
M A M B
0 .4 6 (.0 1 8 )
2 .2 8 ( .0 9 0 )
4 .5 7 ( .1 8 0 )
N O TE S :
1 D IM E N S IO N IN G & T O L E R A N C IN G P E R A N S I Y 1 4 .5 M , 1 9 8 2 .
2 C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : IN C H .
3 C O N F O R M S T O J E D E C O U T L IN E T O -2 5 2 A A .
4 D IM E N S IO N S S H O W N A R E B E F O R E S O L D E R D IP ,
S O L D E R D IP M A X. + 0 .1 6 (.0 0 6 ) .
D-Pak (TO-252AA) Part Marking Information
8
www.irf.com
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