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参数资料
| 型号： | IRFR5305TRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 31A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U5305
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
?
-
**
-
?
+
*
V GS *
R G
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
+
-
V DD
*
Reverse Polarity for P-Channel
** Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
[ V GS =10V ] ***
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
[ V DD ]
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
[ I SD ]
*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14. For P-Channel HEXFETS
www.irf.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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