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参数资料
| 型号： | IRFR5505TRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U5505
100
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-4.5V
100
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-4.5V
10
10
1
-4.5V
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10
100
1
0.1
1
-4.5V 20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10 100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 25 ° C
2.0
I D = -16A
10
T J = 150 ° C
1.5
1.0
1
0.5
0.1
V DS = -25V
20μs PULSE WIDTH
0.0
V GS = -10V
4
5
6
7
8
9
10
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( C)
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR6215TRR | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK |
| IRFR9020TRLPBF | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK |
| IRFR9024NTRR | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK |
| IRFR9024TRRPBF | MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK |
| IRFR9110TRRPBF | MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR5505TRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 18A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR6215 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D-PAK |
| IRFR6215CPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR6215PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR6215PBF-BL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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