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参数资料
| 型号： | IRFR5505TRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U5505
20
V DS
R D
16
R G
V GS
D.U.T.
V DD
12
-10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
8
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
4
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS
0
10%
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature
( ° C)
90%
V DS
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
10
Case Temperature
Fig 10b. Switching Time Waveforms
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
P DM
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR6215TRR | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK |
| IRFR9020TRLPBF | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK |
| IRFR9024NTRR | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK |
| IRFR9024TRRPBF | MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK |
| IRFR9110TRRPBF | MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR5505TRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 18A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR6215 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D-PAK |
| IRFR6215CPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR6215PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR6215PBF-BL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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