参数资料
型号: IRFR6215TRR
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
标准包装: 3,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 295 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 860pF @ 25V
功率 - 最大: 110W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
IRFR/U6215
VDS
L
800
TO P
I D
-2 .7A
-4 .7A
RG
-2 0 V
tp
D .U .T
IA S
0 .0 1 ?
D R IV E R
VD D
A
600
B O TTO M
-6.6 A
400
15V
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
I AS
0
25
50
75
100
125
150
A
175
S tarting T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
tp
V (BR)DSS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
-10V
Q GS
Q G
Q GD
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
V DS
V G
V GS
-3mA
6
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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PDF描述
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