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参数资料
| 型号： | IRFR9310 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d-为400V，的Rds（on）\u003d 7.0ohm，身份证\u003d- 1.8A） |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | IRFR9310 |
IRFR/U9310
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
0
100
200
300
400
500
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
Ciss
Coss
Crss
0
4
8
12
16
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
D
13
-1.1A
V
=-80V
DS
V
=-200V
DS
V
=-320V
DS
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFR9310TRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9310TRLA | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET |
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