参数资料
型号: IRFR9310
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
中文描述: 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d-为400V,的Rds(on)\u003d 7.0ohm,身份证\u003d- 1.8A)
文件页数: 5/10页
文件大小: 116K
代理商: IRFR9310
IRFR/U9310
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
150
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
-
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T
t / t
x Z
=P
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
-10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
相关PDF资料
PDF描述
IRFU9310 Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
IRFS11N50A SMPS MOSFET
IRFS31N20DPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A )
IRFSL31N20DPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A )
IRFS3207PBF HEXFET㈢Power MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFR9310PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9310TR 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9310TRA 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR9310TRL 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9310TRLA 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET