参数资料
型号: IRFU3303
厂商: International Rectifier
英文描述: N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管)
中文描述: N沟道HEXFET功率MOSFET的(不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管)
文件页数: 4/10页
文件大小: 112K
代理商: IRFU3303
IRFR/U3303
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
1000
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
5
10
15
20
25
30
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
18A
V
= 15V
DS
V
= 24V
DS
1
10
100
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
Ciss
Coss
Crss
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