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参数资料
| 型号： | IRFU3303 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | N沟道HEXFET功率MOSFET的（不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRFU3303 |
IRFR/U3303
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3411 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3411PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3411PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3412 | SMPS MOSFET |
| IRFU3412 | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3303PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3303PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes |
| IRFU330A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-251AA |
| IRFU330B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| IRFU330BTU | 功能描述:MOSFET 400V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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