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参数资料
| 型号： | IRFU3303 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | N沟道HEXFET功率MOSFET的（不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRFU3303 |
IRFR/U3303
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
10 V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
10 V
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
8.0A
11A
18A
TOP
BOTTOM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3411 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3411PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3411PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3412 | SMPS MOSFET |
| IRFU3412 | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3303PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3303PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes |
| IRFU330A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-251AA |
| IRFU330B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| IRFU330BTU | 功能描述:MOSFET 400V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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