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参数资料
| 型号： | IRFZ44ESTRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFZ44ES/L
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
60
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
DV (BR)DSS /DT J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.063
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.023
?
V GS = 10V, I D = 29A
?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
2.0
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 30V, I D = 29A ?
25 V DS = 60V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 48V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
60 I D = 29A
13 nC V DS = 48V
––– R G = 15 ?
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
60
70
70
23 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13
––– V DD = 30V
––– I D = 29A
ns
––– R D = 1.1 ? , See Fig. 10 ??
??
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
nH
Between lead,
and center of die contact
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1360
420
160
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
integral reverse
I S
I SM
V SD
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
MOSFET symbol
––– ––– 48
showing the
A
G
––– ––– 192
p-n junction diode.
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 29A, V GS = 0V ?
D
S
t rr
Q rr
t on
Notes:
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– 69 104 ns T J = 25°C, I F = 29A
––– 177 266 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Starting T J = 25°C, L = 520μH
R G = 25 ? , I AS = 29A. (See Figure 12)
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Uses IRFZ44E data and test conditions
? I SD ≤ 29A, di/dt ≤ 320A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
** When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended soldering techniques refer to application note #AN-994.
2
www.irf.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRFZ44L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFZ44LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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