- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录447 > IRFZ44ESTRL (International Rectifier)MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRFZ44ESTRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFZ44ES/L
1000
TOP
VGS
15V
1000
TOP
VGS
15V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
10
4.5V
10
4.5V
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
2.5
I D = 48A
2.0
T J = 25 ° C
100
T J = 175 ° C
1.5
1.0
10
0.5
1
4
5
6
7
V DS = 25V
20μs PULSE WIDTH
8 9
10
0.0
-60 -40 -20 0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44E | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
| IRFZ44NSTRR | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK |
| IRFZ46NSTRL | MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK |
| IRFZ48NL | MOSFET N-CH 55V 64A TO-262 |
| IRFZ48VSTRLPBF | MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFZ44ESTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ44ESTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFZ44ESTRRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ44L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFZ44LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。