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参数资料
| 型号： | IRFZ44ESTRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFZ44ES/L
15V
500
TOP
I D
12A
21A
400
BOTTOM
29A
VDS
L
D R IV E R
RG
20V
tp
D .U .T
IA S
0 .0 1 ?
+
- VD D
A
300
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
100
V (B R )D S S
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature( ° C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
6
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44E | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
| IRFZ44NSTRR | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK |
| IRFZ46NSTRL | MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK |
| IRFZ48NL | MOSFET N-CH 55V 64A TO-262 |
| IRFZ48VSTRLPBF | MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFZ44ESTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ44ESTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFZ44ESTRRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFZ44L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFZ44LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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