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参数资料
| 型号： | IRG4CH50KB |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | IRG4CH50KB |
IRG4BC30W-S
4
www.irf.com
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
0
5
10
15
20
25
25
50
T , Case Tem perature (°C)
75
100
125
150
M
V = 15V
A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
24
I = A
12
I = A
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4CH50SB | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP |
| IRG4CH50UB | |
| IRG4MC30F | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-254AA |
| IRG4MC50F | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA |
| IRG4MC50U | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4CH50SB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP |
| IRG4CH50UB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
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| IRG4IBC20FD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 14.3A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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