型号: | IRG4CH50KB |
文件页数: | 6/8页 |
文件大小: | 188K |
代理商: | IRG4CH50KB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRG4CH50SB | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP |
IRG4CH50UB | |
IRG4MC30F | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-254AA |
IRG4MC50F | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA |
IRG4MC50U | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRG4CH50SB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP |
IRG4CH50UB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
IRG4IBC10UD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 6.8A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
IRG4IBC10UDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRG4IBC20FD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 14.3A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |