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参数资料
| 型号： | IRG4CH50UB |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | IRG4CH50UB |
IRG4BC30W-S
www.irf.com
5
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
20
30
40
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 12A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.01
0.1
1
10
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
24
I = A
12
I = A
6
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
23
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
V
I
= 400V
= 12A
CC
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4MC30F | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-254AA |
| IRG4MC50F | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA |
| IRG4MC50U | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA |
| IRG4PC50S-P | 600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a SM TO-247 package |
| IRG4PC60F-P | 600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC Solder Plate package |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4IBC10UD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 6.8A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4IBC10UDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4IBC20FD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 14.3A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4IBC20FDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4IBC20FDPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT |
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