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参数资料
| 型号： | IRG4CH50UB |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | IRG4CH50UB |
IRG4BC30W-S
8
www.irf.com
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice.8/98
10.16 (.400)
R EF .
6.47 (.255)
6.18 (.243)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
8.89 (.350)
R EF.
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
1.39 (.055)
1.14 (.045)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
- A -
2
1 3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
5.08 (.200)
3X1.14 (.045)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
MA X.
N OTES :
1 D IME NS ION S A FTE R S OLD ER D IP.
2 D IME NS ION IN G & TOLER AN C IN G PE R AN S I Y14.5M, 1982.
3 C ONTROLLIN G D IME NS ION : IN C H .
4 H EA TSINK & LEAD D IME N SION S D O N OT IN C LU DE BU R RS .
0.55 (.022)
0.46 (.018)
0.25 (.010) M B A M
M IN IMU M R EC OMM END E D F OOTPR IN T
11.43 (.450)
8.89 (.350)
17.78 (.700)
3.81 (.150)
2.08 (.082)
2X
LE AD AS SIGNME N TS
1 - GATE
2 - D RA IN
3 - SOU R CE
2.54 (.100)
2X
D
2
Pak Package Outline
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4MC30F | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-254AA |
| IRG4MC50F | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA |
| IRG4MC50U | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA |
| IRG4PC50S-P | 600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a SM TO-247 package |
| IRG4PC60F-P | 600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC Solder Plate package |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4IBC10UD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 6.8A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4IBC10UDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4IBC20FD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 14.3A TO-220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4IBC20FDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4IBC20FDPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT |
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