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参数资料
| 型号： | IRG4RC10KDTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展| 5A条一（c）|至252AA |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IRG4RC10KDTR |
IRG4RC10KD
www.irf.com
3
0.1
1
10
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
f, Frequency (KHz)
L
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
°
C
Tsink
°
C
Gate drive as specified
Power Dissipation = W
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
1.4
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1.0
2.0
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
5
10
15
20
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
55
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4RC10KDTRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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