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参数资料
| 型号： | IRG4RC10KDTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展| 5A条一（c）|至252AA |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IRG4RC10KDTR |
IRG4RC10KD
8
www.irf.com
Same type
D.U.T.
430μF
80%
Fig. 18a
-
Test Circuit for Measurement of
I
LM
, E
on
, E
off(diode)
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
, t
d(on)
, t
r
, t
d(off)
, t
f
Fig. 18b
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a, Defining
E
off
, t
d(off)
, t
f
∫
Vce ie dt
t1
t2
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VO LTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
DIO DE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
10% Vcc
Eon =
∫
Erec =
t4
t3
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
W AVEFO RMS
Ic
Vpk
Irr
10% Irr
Vcc
trr
∫
Q rr =
trr
tx
id dt
Ic dt
Fig. 18c
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
on
, t
d(on)
, t
r
Fig. 18d
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
rec
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
Vce Ic dt
t=5μs
d(on)
t
t
f
t
r
90%
t
d(off)
10%
90%
10%
5%
C
I
C
E
on
E
off
E = (E +E )
V
V
ge
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRG4RC10KDTRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
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参数描述 |
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