参数资料
型号: IRG4RC10KDTRL
厂商: International Rectifier
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
中文描述: 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五(巴西)国际消费电子展| 5A条一(c)|至252AA
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代理商: IRG4RC10KDTRL
IRG4RC10KD
10
www.irf.com
Repetitive rating: V
GE
=20V; pulse width limited by maximum junction tem-
perature (figure 20)
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
=20V, L=10μH, R
G
= 100
(figure 19)
Pulse width
80μs; duty factor
0.1%
.
Pulse width 5.0μs, single shot
.
Tape & Reel Information
TO-252AA
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEED DIRECTION
FEED DIRECTION
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHO W N IN MILLIMETERS ( INCHES ).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
NOTES :
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481.
16 mm
13 INCH
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
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PDF描述
IRG4RC10KDTRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC20F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)
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参数描述
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IRG4RC10KPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10KTR 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10KTRL 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A LEFT D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件