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参数资料
| 型号： | IRG4RC10KDTRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五（巴西）国际消费电子展| 5A条一（c）|至252AA |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IRG4RC10KDTRL |
IRG4RC10KD
www.irf.com
7
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt,
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
d
Q
I
t
20
25
30
35
40
45
50
100
1000
dif
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
0
2
4
6
8
10
12
14
100
1000
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
di /dt - (A/μs)
0
40
80
120
160
200
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
100
1000
100
1000
di /dt - (A/μs)
A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
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PDF描述 |
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