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参数资料
| 型号： | IRGIB7B60KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 435K |
| 代理商： | IRGIB7B60KD |
IRGIB7B60KD
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25°C; T
J
≤
150°C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
10
20
30
40
50
Pt
10
100
1000
VCE (V)
0
1
10
100
IC
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.01
0.1
1
10
100
IC
100 μs
10ms
DC
1ms
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
2
4
6
8
10
12
14
IC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGIH50F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGP20B120UD-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP20B120U-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGIB7B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGIH50F | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGIH50FD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR |
| IRGIH50FU | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR |
| IRGKI0025M12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
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