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参数资料
| 型号： | IRGIB7B60KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 435K |
| 代理商： | IRGIB7B60KD |
IRGIB7B60KD
8
www.irf.com
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
Fig. 23
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 8.0A; L = 600μH
0
5
10
15
20
25
30
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
300V
400V
0
5
10
15
20
IF (A)
0
50
100
150
200
250
E
270
470
150
50
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
1
10
100
1000
C
Cies
Coes
Cres
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGIH50F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRGIH50F | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGIH50FD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR |
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| IRGKI0025M12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
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