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参数资料
| 型号： | IRGIH50F |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 547K |
| 代理商： | IRGIH50F |
6
www.irf.com
IRGIH50F
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
125
°
C
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRGIH50FU | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR |
| IRGKI0025M12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| IRGKI0050M12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
| IRGKI0075M12 | 功能描述:整流器 1200 Volt 75 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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