- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384501 > IRGIH50F (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRGIH50F |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 547K |
| 代理商： | IRGIH50F |
www.irf.com
7
IRGIH50F
960V
4
X
I
C
@
25°C
D.U.T.
50V
L
V *
* Driver same type as D.U.T.; Vc = 80% of Vce(max)
* Note: Due to the 50V power supply, pulse width and inductor
will increase to obtain rated Id.
1000V
Fig. 13a
-
Clamped Inductive
Load Test Circuit
Fig. 13b
-
Pulsed Collector
Current Test Circuit
480μF
960V
0 - 960V
R
L
=
t=5μs
d(on)
t
t
f
t
r
90%
t
d(off)
10%
90%
10%
5%
V
C
I
C
E
on
E
off
E = (E +E )
Fig. 14b
-
Switching Loss
Waveforms
50V
Driver*
1000V
D.U.T.
I
C
C
V
L
Fig. 14a
-
Switching Loss
Test Circuit
* Driver same type
as D.U.T., VC = 960V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGP20B120UD-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP20B120U-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGP20B60PD | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP30B60KD-E | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGP35B60PD | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGIH50FD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR |
| IRGIH50FU | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR |
| IRGKI0025M12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| IRGKI0050M12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
| IRGKI0075M12 | 功能描述:整流器 1200 Volt 75 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。