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参数资料
型号： IRGP4065DPBF
厂商： International Rectifier
英文描述： PDP TRENCH IGBT
中文描述： 等离子沟道IGBT
文件页数： 6/7页
文件大小： 354K
代理商： IRGP4065DPBF
6
www.irf.com
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If = 8A, Tj = 125
C
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If = 8A, Tj = 25
C
If = 8A, Tj = 125
C
Fig 21a
.
t
st
and E
PULSE
Test Circuit
Fig 21b
.
t
st
Test Waveforms
Fig 21c
.
E
PULSE
Test Waveforms
1K
VCC
DUT
0
L
Fig. 22 - Gate Charge Circuit (turn-off)
DRIVER
DUT
L
C
VCC
RG
RG
B
A
Ipulse
Energy
V
CE
I
C
Current
PULSE A
PULSE B
t
ST
Fig.20 - Switching Loss Circuit
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VFM, Forward Voltage Drop (V)
1
10
100
IF
Tj = 125°C
Tj = 25°C
相关PDF资料
PDF描述
IRGP4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGP50B60PD1 SMPS IGBT
IRGPC20MD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A)
IRGPC30FD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRGPC30UD2 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
相关代理商/技术参数
参数描述
IRGP4065PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 70A 3PIN TO-247AC - Bulk
IRGP4066D-EPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGP4066D-EPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / 600V UltraFast Copack Trench IGBT
IRGP4066DPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGP4066-EPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low VCEon Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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