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参数资料
| 型号： | IRGP4065DPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | PDP TRENCH IGBT |
| 中文描述： | 等离子沟道IGBT |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 354K |
| 代理商： | IRGP4065DPBF |
www.irf.com
7
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed for the Industrial
market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
06/06
!
TO-247AC package is not recommended for Surface Mount Application.
"#$
YEAR 1 = 2001
WEEK 35
DATE CODE
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
56 57
IRFPE30
135H
LINE H
indicates "Lead-Free"
IN THE ASSEMBLY LINE "H"
ASSEMBLED ON WW 35, 2001
Note: "P" in assembly line position
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 5657
THIS IS AN IRFPE30
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGP4065PBF | PDP TRENCH IGBT |
| IRGP50B60PD1 | SMPS IGBT |
| IRGPC20MD2 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A) |
| IRGPC30FD2 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A) |
| IRGPC30UD2 | 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGP4065PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 70A 3PIN TO-247AC - Bulk |
| IRGP4066D-EPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGP4066D-EPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / 600V UltraFast Copack Trench IGBT |
| IRGP4066DPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGP4066-EPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Low VCEon Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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