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参数资料
| 型号： | IRHM9150 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔（对254AA） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | IRHM9150 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHM9150
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D.U .T
L
V
DS
VD D
DRIVER
A
15V
-20V
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-12V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
-9.8A
-14A
-22A
TOP
BOTTOM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHM93150 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
| IRHM9160 | TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.087ohm, Id=-35*A) |
| IRHM9230 | TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.8ohm, Id=-6.5A) |
| IRHM9250 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA) |
| IRHM93250 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHM9150D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM9150SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHM9150U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM9160 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 35A 3PIN TO-254AA - Rail/Tube |
| IRHM9160SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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