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参数资料
| 型号： | IRHMS57264SE |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) 250V, N-CHANNEL |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔（低阻值到254AA）250V，N沟道 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | IRHMS57264SE |
IRHMS57264SE, JANSR2N7477T1
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
GS
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
P
t
t
DM
1
2
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
ID
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHMS593160 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) |
| IRHMS597160 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) |
| IRHN7054 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRHN8054 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| IRHN7130 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHMS57264SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHMS57Z60 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHMS58064 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHMS58160 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHMS58Z60 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
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