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参数资料
| 型号： | IRHN8054 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶体管（之HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | IRHN8054 |
www.irf.com
7
IRHN7054, IRHN8054, JANSR-,JANSH-,2N7394U Devices
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
12V
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
16A
22A
35A
TOP
BOTTOM
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Pre-Irradiation
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PDF描述 |
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