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参数资料
| 型号： | IRHN8130 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
| 中文描述： | 晶体管N沟道（BVdss \u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.18ohm，身份证\u003d 14） |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 508K |
| 代理商： | IRHN8130 |
IRHN7130, IRHN8130 Devices
Post-Radiation
Figure 1. – Typical Response of Gate Threshold Voltage
Vs. Total Dose Exposure.
Figure 2. – Typical Response of On-State Resistance
Vs. Total Dose Exposure.
Figure 3. – Typical Response of Transconductance
Vs. Total Dose Exposure.
Figure 4. – Typical Response of Drain-to-Source
Breakdown Vs. Total Dose Exposure.
VGS = 12V
ID = 9.0A
VDS
≥
15V
ID = 9.0A
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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