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参数资料
| 型号： | IRHN8130 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
| 中文描述： | 晶体管N沟道（BVdss \u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.18ohm，身份证\u003d 14） |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 508K |
| 代理商： | IRHN8130 |
IRHN7130, IRHN8130 Devices
Radiation Characteristics
Note: Bias Conditions during radiation; VGS = 12 Vdc, VDS = 0 Vdc
Figure 14. – Typical Output Characteristics Pre-Radiation.
Figure 15. – Typical Output Characteristics, Post-Radiation
100K Rads (Si).
Figure 16. – Typical Output Characteristics, Post-Radiation
300K Rads (Si).
Figure 17. – Typical Output Characteristics, Post-Radiation
1 Mega Rads (Si).
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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