参数资料
型号: IRHN8150
厂商: International Rectifier
英文描述: TRANSISTOR N-CHANNEL
中文描述: 晶体管N沟道
文件页数: 12/14页
文件大小: 516K
代理商: IRHN8150
IRHN7150, IRHN8150 Devices
Pre-Radiation
Figure 29c – Maximum Avalanche Energy Vs. Starting
Junction Temperature.
Figure 30. – Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
PEAK IL = 34
VDD = 50V
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PDF描述
IRHNA7160 TRANSISTOR N-CHANNEL
IRHNA8160 TRANSISTOR N-CHANNEL
IRHNA7260 TRANSISTOR N-CHANNEL
IRHNA8260 TRANSISTOR N-CHANNEL
IRHNA7264SE TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=250V, Rds(on)=0.110ohm, Id=34A)
相关代理商/技术参数
参数描述
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IRHN8250 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk
IRHN8450 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk
IRHN8450SCS 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk
IRHN9130 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk