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参数资料
| 型号： | IRHN8150 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| 中文描述： | 晶体管N沟道 |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 516K |
| 代理商： | IRHN8150 |
Radiation Characteristics
IRHN7150, IRHN8150 Devices
Note: Bias Conditions during radiation; VGS = 12 Vdc, VDS = 0 Vdc
Figure 14. – Typical Output Characteristics Pre-Radiation.
Figure 15. – Typical Output Characteristics, Post-Radiation
100K Rads (Si).
Figure 16. – Typical Output Characteristics, Post-Radiation
300K Rads (Si).
Figure 17. – Typical Output Characteristics, Post-Radiation
1 Mega Rads (Si).
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA7160 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA8160 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA7260 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA8260 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA7264SE | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=250V, Rds(on)=0.110ohm, Id=34A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHN8230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN8250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN9130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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