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参数资料
| 型号： | IRHN8150 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| 中文描述： | 晶体管N沟道 |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 516K |
| 代理商： | IRHN8150 |
Pre-Radiation
IRHN7150, IRHN8150 Devices
Figure 25. – Maximum Safe Operating Area
Figure 22. – Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source
Voltage.
Figure 23. – Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source
Voltage.
Figure 24. – Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
J
C
o
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
100us
1ms
10ms
ID = 34A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA7160 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA8160 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA7260 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA8260 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA7264SE | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=250V, Rds(on)=0.110ohm, Id=34A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHN8230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN8250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN9130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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