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参数资料
| 型号： | IRHN8150 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| 中文描述： | 晶体管N沟道 |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 516K |
| 代理商： | IRHN8150 |
IRHN7150, IRHN8150 Devices
Post-Radiation
Figure 1. – Typical Response of Gate Threshold Voltage
Vs. Total Dose Exposure.
Figure 2. – Typical Response of On-State Resistance
Vs. Total Dose Exposure.
Figure 3. – Typical Response of Transconductance
Vs. Total Dose Exposure.
Figure 4. – Typical Response of Drain-to-Source
Breakdown Vs. Total Dose Exposure.
VGS = 12V
ID = 21A
VGS
≥
15V
ID = 21A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA7160 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA8160 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA7260 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
| IRHNA8260 | TRANSISTOR N-CHANNEL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRHN8250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN9130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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