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参数资料
| 型号： | IRHN8250 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶体管（之HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | IRHN8250 |
www.irf.com
11
IRHN7250, IRHN8250, JANSR-, JANSH-, 2N7269U
Devices
Pre-Irradiation
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 30b.
Gate Charge Test Circuit
Fig30a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 29c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 29b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 29a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
12V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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