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参数资料
| 型号： | IRHN8250 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶体管（之HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | IRHN8250 |
IRHN7250, IRHN8250, JANSR-, JANSH-, 2N7269U
Devices
Note: Bias Conditions during radiation: V
GS
= 12 Vdc, V
DS
= 0 Vdc
6
www.irf.com
Fig 11.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 100K Rads (Si)
Fig 10.
Typical Output Characteristics
Pre-Irradiation
Fig 12.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 300K Rads (Si)
Fig 13.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 1 Mega Rads(Si)
Radiation Characteristics
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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