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参数资料
| 型号： | IRHN8250 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶体管（之HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | IRHN8250 |
www.irf.com
9
IRHN7250, IRHN8250, JANSR-, JANSH-, 2N7269U
Devices
Pre-Irradiation
Fig 23.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 22.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 25.
Maximum Safe Operating
Area
Fig 24.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
30
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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