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参数资料
| 型号： | IRHN9130 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P沟道,-100 V, 0.3Ω,抗辐射HEXFET晶体管) |
| 中文描述： | P沟道，-100伏，0.3Ω，RAD数据通信硬的HEXFET性（P沟道，-100五，0.3Ω，抗辐射的HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRHN9130 |
IRHN9130, IRHN93130 Device
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-8.0V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
1
10
100
5
6
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
13
VDS
20μs PULSE WIDTH
-
D
T = 25 C
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
-12V
-11A
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