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参数资料
| 型号： | IRHN9130 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P沟道,-100 V, 0.3Ω,抗辐射HEXFET晶体管) |
| 中文描述： | P沟道，-100伏，0.3Ω，RAD数据通信硬的HEXFET性（P沟道，-100五，0.3Ω，抗辐射的HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRHN9130 |
IRHN9130, IRHN93130 Device
www.irf.com
7
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D .U.T
L
V
DS
VD D
DR IVER
A
15V
-12V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-12V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Pre-Irradiation
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
-4.9A
-7.0A
-11A
TOP
BOTTOM
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PDF描述 |
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