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参数资料
| 型号： | IRL3716STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5090pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 210W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3716/3716S/3716LPbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
––– ––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.021
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
m ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
3.0 4.0 V GS = 10V, I D = 90A
4.0 4.8 V GS = 4.5V, I D = 72A
?
?
V GS(th)
Gate Threshold Voltage 1.0
––– 3.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
μA
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
––– 20 V DS = 16V, V GS = 0V
––– 250 V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125°C
––– 200 V GS = 16V
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage –––
Gate-to-Source Reverse Leakage –––
––– -200 V GS = -16V
nA
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 72A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
53
17
24
50
18
140
38
––– S V DS = 10V, I D = 72A
79 I D = 72A
26 nC V DS = 16V
35 V GS = 4.5V
75 V GS = 0V, V DS = 10V
––– V DD = 10V
ns
––– R G = 3.9 ?
t f
C iss
Fall Time
Input Capacitance
–––
–––
36
5090
––– V GS = 4.5V
––– V GS = 0V
?
C oss
Output Capacitance
–––
3440
–––
pF
V DS = 10V
C rss
Reverse Transfer Capacitance
–––
560
––– ? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Symbol
E AS
I AR
Parameter
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Typ.
–––
–––
Max.
640
72
Units
mJ
A
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
––– 180 ?
––– 720
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
–––
–––
0.93
0.80
1.3
–––
V
T J = 25°C, I S = 72A, V GS = 0V ?
T J = 125°C, I S = 72A, V GS = 0V ?
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Reverse
Reverse
Reverse
Reverse
Recovery
Recovery
Recovery
Recovery
Time
Charge
Time
Charge
–––
–––
–––
–––
180
87
190
85
280
130
280
130
ns
nC
ns
nC
T J = 25°C, I F = 72A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
T J = 125°C, I F = 72A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
2
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