参数资料
型号: IRL3716STRLPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 9/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 180A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4 毫欧 @ 90A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 79nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5090pF @ 10V
功率 - 最大: 210W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL3716/3716S/3716LPbF
D 2 Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D 2 Pak Part Marking Information (Lead-Free)
T H IS IS AN IR F 5 3 0 S W IT H
L OT COD E 80 2 4
IN T E R N AT IO N AL
P AR T N U M B E R
AS S E M B L E D ON W W 0 2, 20 00
IN T H E AS S E M B L Y L IN E "L "
N ote: "P " in as s em bly lin e
po s itio n in dicates "L ead-F r ee"
R E C T IF IE R
L OGO
AS S E M B L Y
L O T CO D E
F 5 30 S
D AT E C O D E
Y E AR 0 = 2 0 0 0
W E E K 02
L IN E L
OR
www.irf.com
IN T E R N AT IO N AL
R E C T IF IE R
L O GO
AS S E M B L Y
L OT COD E
F 530S
P AR T N U M B E R
D AT E CO D E
P = D E S IG N AT E S L E AD -F R E E
P R O D U C T (O P T IO N AL )
Y E AR 0 = 2 0 0 0
W E E K 02
A = AS S E M B L Y S IT E CO D E
9
相关PDF资料
PDF描述
IRL3803STRR MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
IRL3803 MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
IRL510STRLPBF MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRL520NSTRR MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
IRL530NSTRR MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
相关代理商/技术参数
参数描述
IRL3716STRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3803 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3803L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3803LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3803PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube