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参数资料
型号： IRL3716STRLPBF
厂商： International Rectifier
文件页数： 3/12页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
标准包装： 800
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 180A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 4 毫欧 @ 90A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 79nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 5090pF @ 10V
功率 - 最大： 210W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装： D2PAK
包装： 带卷 (TR)
IRL3716/3716S/3716LPbF
10000
1000
100
VGS
TOP      10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
10000
1000
100
VGS
TOP      10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
2.5V
10
2.5V
10
1
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000.00
T J = 25°C
2.0
I D = 180A
100.00
T J = 175°C
1.5
1.0
0.5
VDS = 15V
10.00
2.0
3.0
4.0
20μs PULSE WIDTH
5.0     6.0     7.0
8.0
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V GS = 10V
100 120 140 160 180
( C)
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
T J , Junction Temperature
°
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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