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参数资料
| 型号： | IRL3716STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5090pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 210W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3716/3716S/3716LPbF
15V
1650
TOP
ID
29A
51A
VDS
L
DRIVER
1320
BOTTOM
72A
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
990
660
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
330
V (BR)DSS
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
( C)
Starting Tj, Junction Temperature
°
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
I AS
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Q G
50K ?
- DS
4.5V
Q GS
Q GD
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
V G
V GS
3mA
6
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3803STRR | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK |
| IRL3803 | MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB |
| IRL510STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
| IRL520NSTRR | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK |
| IRL530NSTRR | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3716STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3803 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3803L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3803LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3803PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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