参数资料
型号: IRL620STRR
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 4/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
标准包装: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 800 毫欧 @ 3.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 360pF @ 25V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL620S, SiHL620S
Vishay Siliconix
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 91302
S11-1054-Rev. C, 30-May-11
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料
PDF描述
IRL630STRR MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IRL640A MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
IRL640L MOSFET N-CH 200V 17A TO-262
IRL640STRR MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
IRLBD59N04ETRLP MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
相关代理商/技术参数
参数描述
IRL621 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IRL624 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | SO
IRL6283MTRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 20V, 211A, 0.5 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE, DIRECTFET - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET 制造商:International Rectifier 功能描述:T&R / MOSFET, 20V, 211A, 0.5 mOhm, 2.5V drive capable, DirectFET
IRL630 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL630A 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube