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参数资料
| 型号： | IRLI3803 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 76A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 63W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLI3803 |
IRLI3803
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.052
––– V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA ?
?
25 V DS = 30V, V GS = 0V
100 V GS = 16V
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
–––
–––
1.0
55
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
230
29
35
0.006 V GS = 10V, I D = 40A ?
0.009 V GS = 4.5V, I D = 34A ?
––– V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 71A ?
μA
250 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 150°C
nA
-100 V GS = -16V
140 I D = 71A
41 nC V DS = 24V
78 V GS = 4.5V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = 15V
––– ns I D = 71A
––– R G = 1.3 ?, V GS = 4.5V
––– R D = 0.20 ?, See Fig. 10 ??
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5 –––
7.5 –––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
–––
–––
–––
–––
5000 ––– V GS = 0V
1800 ––– pF V DS = 25V
880 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
12 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
120
450
76
470
1.3
180
680
A
V
ns
nC
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = 40A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = 71A
di/dt = 100A/μs ??
G
D
S
T J ≤ 175°C
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by ? I SD ≤ 71A, di/dt ≤ 130A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS , ? t=60s, ?=60Hz
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 15V, starting T J = 25°C, L = 180μH ? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%. ? Uses IRL3803 data and test conditions
R G = 25 ? , I AS = 71A. (See Figure 12)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI3803PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 67A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI510A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLI510ATU | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI520 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET |
| IRLI520A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
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