参数资料
型号: IRLI3803
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 76A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫欧 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V
功率 - 最大: 63W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220AB 整包
包装: 管件
其它名称: *IRLI3803
IRLI3803
80
60
40
V DS
V GS
R G
4.5V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
R D
D.U.T.
+
- V DD
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
20
V DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature
( ° C)
10%
V GS
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Case Temperature
10
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
P DM
0.1
0.02
t 1
0.01
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
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PDF描述
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参数描述
IRLI3803PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 67A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI510A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
IRLI510ATU 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI520 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET
IRLI520A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET