参数资料
型号: IRLI3803
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 76A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫欧 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V
功率 - 最大: 63W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220AB 整包
包装: 管件
其它名称: *IRLI3803
IRLI3803
L
V DS
D.U.T.
1500
TO P
I D
2 9A
50A
R G
+
1200
BO TTOM
71 A
-
V DD
4.5 V
t p
I AS
0.01 ?
900
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
t p
600
300
V DD
0
V D D = 1 5V
A
25
50
75
100
125
150
175
V DS
I AS
Starting T J , Junction T emperature (°C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
4.5 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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PDF描述
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参数描述
IRLI3803PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 67A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IRLI510ATU 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI520 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET
IRLI520A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET